褚君浩    特聘教授
研究方向 半导体物理(中科院上海技术物理研究所研究员)
联系方式 jhchu@@mail.sitp.ac.cn
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  教育背景  
  研究介绍  
长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现HgCdTe的带间跃迁、杂质跃迁等基本光电跃迁特性,提出HgCdTe本征光吸收系数表达式和折射率表达式,确定了材料器件的光电判别依据;开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。近年来从事极化材料和器件物理研究以及太阳能光伏电池研究。
  科研成果  
1. Junhao Chu,Arden Sher,《Device physics of narrow gap semiconductors》Springer 2010.


2. S. J. Gong, C.-G. Duan, Z.-Q. Zhu and J.-H. Chu, Manipulation of magnetic anisotropy of Fe/graphene by charge injection, Applied Physics Letters, 100 122410 (2012).


3. W. Bai, G. Chen, J. Y. Zhu, J. Yang, T. Lin, X. J. Meng, X. D. Tang, C. G. Duan and J. H. Chu, Dielectric responses and scaling behaviors in Aurivillius Bi6Ti3Fe2O18 multiferroic thin films, Applied Physics Letters, 100 082902 (2012).


4. W. W. Li, Q. Yu, J. R. Liang, K. Jiang, Z. G. Hu, J. Liu, H. D. Chen and J. H. Chu, Intrinsic evolutions of optical functions, band gap, and higher-energy electronic transitions in VO2 film near the metal-insulator transition region, Applied Physics Letters, 99 241903 (2011).


5. S. Chen, X. G. Gong, C.-G. Duan, Z.-Q. Zhu, J.-H. Chu, A. Walsh, Y.-G. Yao, J. Ma and S.-H. Wei, Band structure engineering of multinary chalcogenide topological insulators, Physical Review B, 83 245202 (2011).