徐科    特聘教授
研究方向 半导体材料与器件(中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员)
联系方式 kxu2006@@sinano.ac.cn
备  注 千人、杰青
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  教育背景  
  研究介绍  
一直围绕高质量氮化物半导体材料生长、相关材料与器件物理开展研究。开展了多种与GaN晶格匹配的单晶体生长,在LiAlO2(100)衬底上用MOCVD方法首次外延生长出非极性m面GaN;系统研究了GaN的MOCVD和MBE生长机理,氮化物的极性选择、极性控制,阐明了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响,是国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一;近年来重点开展氮化物的氢化物气相外延(HVPE)生长研究、极低缺陷密度氮化物材料的物性研究,研发出可以连续稳定生产GaN单晶衬底的HVPE系统,开发出高质量完整2英寸单晶氮化镓衬底,并实现批量生产;组织开展纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制、微纳尺度原位加工与测试技术的融合,并用于半导体中单个缺陷和低维结构的新奇物性研究。发表SCI论文70余篇,申请专利40余项,国际专利一项,国际会议特邀报告20余次。承担了国家自然科学基金、973重大研究计划、863项目、科技部国际合作项目、中科院装备研制项目、江苏省重大科技成果转化专项、发改委战略新兴产业化示范项目等。
  科研成果  
1. Y. M. Fan, Z. H. Liu, K. Xu(通讯作者), et al, Surface acoustic waves in semi-insulating Fe-doped GaN films grown by hydride vapor phase epitaxy, Appl. Phys. Lett., 2014, 105,062108.
2. H. J. Zhong, Z. H. Liu, K. Xu(通讯作者), et al, Graphene in ohmic contact for both n-GaN and p-GaN, Appl. Phys. Lett., 2014, 104, 212101.
3. Z. H. Liu, K. Xu(通讯作者), et al, Local ultra-violet surface photovoltage spectroscopy of single thread dislocations in gallium nitrides by Kelvin probe force microscopy, Appl. Phys. Lett., 2012, 101,252107.
4. M.Zhang, K. Xu(通讯作者), The bound states of Fe impurity in wurtzite GaN, Appl. Phys. Lett., 2012, 100,041904.
5. J. Huang, K. Xu(通讯作者), et al, Nanoscale anisotropic plastic deformation in single crystal GaN, Nanoscale Research Letters, 2012, 10, 150.