杨辉    特聘教授
研究方向 新型半导体材料和器件研究(中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员)
联系方式 hyang2006@@sinano.ac.cn
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  教育背景  
  研究介绍  
1992年在国内首次用MOCVD技术生长出高质量GaAs/AlGaAs量子阱材料及低域值激光器,使当时国内MOCVD材料生长技术和量子阱激光器研制水平同时都上了一个台阶,达到当时的国际水平;1999年成功研制出了世界上第一只立方相GaN蓝色发光二极管器件,开发成功了氮化镓基LED中游工艺产业化技术,与深圳方大合作率先在国内成功实现了氮化镓基蓝绿光LED的产业化;2004年研制出中国大陆第一支氮化镓基蓝光激光器。目前他正带领科研人员开展氮化镓基激光器、氮化镓基紫外探测器、硅衬底上氮化镓基发光器件及其集成技术等目前国际上氮化镓基半导体材料与器件以及开发领域的前沿课题的研究,主持了“863”重大项目,中科院重大项目,国家基金项目等十余项。在国际著名期刊发表80余篇论文,被SCI、EI等引用次数超过1000次。曾两次获中国科学院科学技术进步二等奖。
  科研成果  
1. Zengcheng Li, Jianping Liu, Meixin Feng, Kun Zhou, Shuming Zhang, Hui Wang, Deyao Li, Liqun Zhang, Degang Zhao, Desheng Jiang, Huaibing Wang, and Hui Yang, Suppression of thermal degradation of InGaN/GaN quantum wells in green laser diode structures during the epitaxial growth, Appl. Phys. Lett. 103, 152109 (2013)
2. M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, Z. S. Liu, D. S. Jiang, Z. C. Li,F. Wang, D. Y. Li, L. Q. Zhang, H. Wang, and H. Yang,Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes, Appl. Phys. Lett. 102, 183509 (2013)
3. M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou,1, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, and H. Yang, High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction, Appl. Phys. Lett. 103, 043508 (2013)
4. Kun Zhou, Jianping Liu, Shuming Zhang, Zengcheng Li, Meixin Feng, Deyao Li, Liqun Zhang, Feng Wang, Jianjun Zhu, and Hui Yang, Hillock Formation and Suppression on Homoepitaxial GaN Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, J. Cryst Growth 371, 7 (2013)
5. L. C. Le, D. G. Zhao, D. S. Jiang, L. Li, L. L. Wu, P. Chen, Z. S. Liu, Z. C. Li, Y. M. Fan, J. J. Zhu, H. Wang, S. M. Zhang, and H. Yang, "Carriers capturing of V-defect and its effect on leakage current and electroluminescence in InGaN-based light-emitting diodes", Appl. Phys. Lett. 101, 252110 (2012)