科研进展 | 上科大物质学院于平课题组与联合团队表面合成拓扑杂环石墨烯纳米带

时间:2024-03-20浏览:103设置


近日,上海科技大学物质科学与技术学院于平课题组与李刚课题组、甄家劲课题组、杨波课题组合作,在金表面上成功合成了五元环周期性掺杂的凹槽(Cove)型拓扑石墨烯纳米带。该研究发表于国际一流化学期刊《美国化学会志》(Journal of the American Chemical Society, JACS)

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石墨烯纳米带(GNRs)因其电子特性的可调控性在纳米电子器件中具有广泛应用潜力。凹槽型石墨烯纳米带(C-GNR)作为其中重要的一类,可展现出非平庸的拓扑性质。理论预测,其拓扑相位由凹槽的位置和纳米带的宽度所决定,通过Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型可以很好地描述其电子结构。

由于缺乏合成策略及前驱体的设计,很难在锯齿型石墨烯纳米带的两边周期性掺入凹槽(除去C-H基团)以实现拓扑性质,目前只有极少数的个例C-GNR的实验合成被公开报道,且均仅展现出了平庸的半导体性质。因此,制造拓扑的C-GNR不仅充满挑战性,更具有重要意义。

为应对这一挑战,研究团队利用三角烯单元,在金表面上通过乌尔曼偶联及分子内和分子间的脱氢环化反应,成功合成出一种五元环掺杂的准凹槽型石墨烯纳米带(C-5-GNR),通过周期性地将五元环引入凹槽型两边,最终实现了其拓扑非平庸的电子结构。在低温超高真空环境下通过扫描隧道显微镜(STM)和非接触式原子力显微镜(nc-AFM)精确表征了其化学结构(图1),并进一步分析了其表面合成反应路径。

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图1.C-5-GNR的表面合成路径和化学结构表征


结合扫描隧道谱学(STS)技术以及密度泛函理论(DFT)计算,研究团队表征了C-5-Segn片段的低能电子结构,发现其反铁磁耦合强度展现出随纳米带长度增加而衰减的依赖性。

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图2.C-5-Segn的化学与电子结构表征


研究团队还表征了准一维的C-5-GNR的化学和电子结构,发现其电子结构符合SSH模型的描述,并通过Zak相的计算验证了其非平庸的拓扑相。

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图3.准一维C-5-GNR冠状六角烯的化学与电子结构表征


本研究实现了C-5-GNR的表面合成,通过在C-GNR的凹槽边嵌入周期性五元环的策略,实现了非平庸的拓扑电子结构,并利用STM和AFM对不同长度C-5-GNR的化学和电子结构进行了表征。以上结果有望为设计具有所需非平庸拓扑特性的C-GNR提供新思路,助力探索其在量子信息技术领域的应用前景。 

上海科技大学是本研究的唯一完成单位。物质学院的交叉科研团队跨物理、化学、材料等不同领域,其良好的协同合作促成了本次原创成果的产生。上科大物质学院于平课题组2021级博士研究生朱勖劼、甄家劲课题组2020级硕士研究生李刻针为文章的共同第一作者,上海科技大学物质学院于平教授、李刚教授、甄家劲教授和杨波教授为共同通讯作者。


文章标题:

Topological Structure Realized in Cove-Edged Graphene Nanoribbons via Incorporation of Periodic Pentagon Rings


文章链接:

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.4c00270

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